برق، الکترونیک، مخابرات
دانلود پاورپوینت و ارائه کامل ترانزیستور MOSFET
مقدمه: ماسفت یا ترانزیستور اثر میدانی نیمه‌رسانا-اکسید-فلز (metal–oxide–semiconductor field-effect transistor (MOSFE معروف‌ترین ترانزیستور اثر میدان در مدارهای آنالوگ و دیجیتال است. این گونه از ترانزیستور اثر میدان نخستین بار در سال ۱۹۲۵ میلادی معرفی شد. در آن هنگام، ساخت و به کارگیری این ترانزیستورها، به سبب نبود علم و ابزار و امکان، با دشواری همراه بود و از همین روی، برای پنج دهه فراموش شدند و از میدانِ پیشرفت‌های الکترونیک بر کنار ماندند. در آغازِ دههٔ ۱۹۷۰م، بارِ دیگر نگاه‌ها به MOSFETها افتاد و برای ساختنِ مدارهای مجتمع به کار گرفته شدند. در ترانزیستور اثرِ میدان ( FET ) چنان که از نام اش پیداست، پایهٔ کنترلی، جریانی مصرف نمی‌کند و تنها با اعمال ولتاژ و ایجاد میدان درون نیمه رسانا، جریان عبوری از FET کنترل میشود. از همین روی ورودی این مدار هیچ اثر بارگذاری بر روی طبقات تقویت قبلی نمی‌گذارد و امپدانس بسیار بالایی دارد. عمده تفاوت ماسفت با ترانزیستور JFET در این است که گیت ترانزیستورهای ماسفت توسط لایه‌ای از اکسید سیلیسیم (SiO2) از کانال مجزا شده است. به این دلیل به ماسفتها فِت با گیت مجزا (IGFET ، Insulated Gate FET) نیز گفته میشود. مدارهای مجتمع بر پایهٔ فناوری ترانزیستورهای اثرِ میدانِ MOS را می‌توان بسیار ریزتر و ساده‌تر از مدارهای مجتمع بر پایهٔ ترانزیستورهای دوقطبی ساخت، بی آن که (حتی در مدارها و تابع‌های پیچیده و مقیاس‌های بزرگ ) نیازی به مقاومت، دیود یا دیگر قطعه‌های الکترونیکی داشته باشند.[۲] همین ویژگی، تولیدِ انبوهِ آن‌ها را آسان می‌کند، چندان که هم اکنون بیش‌تر از ۸۵ درصدِ مدارهای مجتمع، بر پایهٔ فناوریِ MOS طراحی و ساخته می‌شوند.ترانزیستورهای MOS، بسته به کانالی که در آن‌ها شکل می‌گیرد، NMOS یا PMOS نامیده می‌شوند. در آغازِ کار، PMOS ترانزیستورِ پرکاربردتر در فناوری MOS بود. اما از آن جا که ساختنِ NMOS آسان‌تر است و مساحتِ کم‌تری هم می‌گیرد، از PMOS پیشی گرفت. بر خلافِ ترانزیستورهای دوقطبی، در ترانزیستورهای MOSFET، جریان، نتیجهٔ شارشِ تنها یک حامل ( الکترون یا حفره) در میانِ پیوندها است و از این رو، این ترانزیستورها را تک‌قطبی هم می‌نامند.
کلمات کلیدی: ترانزیستور ترانزیستور ماسفت ترانزیستور MOSFET ترانزیستور اثر میدان ترانزیستور اثر میدانی نیمه‌رسانا-اکسید-فلز فهرست مطالب دو نوع ترانزیستور مهم وجود دارد: MOSFET, BJT Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ترانزیستور NMOS ترانزیستوری که کانال آن از نوع n باشد، n-channel و یا NMOS خوانده میشود. اعمال ولتاژی کوچک به درین و سورس رابطه جریان و ولتاژ افزایش ولتاژ VDS اشباع ترانزیستور جریان در ناحیه تریود تکنولوژی زیر میکرونی(Sub Micron) ترانزیستور MOSFET با کانال p (PMOS) ترانزیستور CMOS شمای ترانزیستور NMOS مشخصه iD-VDS مقاومت کانال که مستقل از ولتاژ VDS است. اثر محدود بودن مقاومت خروجی رابطه جریان خروجی و ولتاژ VDS مقاومت خروجی اثر بدنه اثر حرارت (Weak avalanche) مدارات MOSFET در حالت کار بصورتDC استفاده از MOSFET در مدارات تقویت کننده روشهای مختلف بایاس کردن MOSFET به علت این نقش مقاومت سورس به آن Degeneration Resistance میگویند بایاس از طریق مقاومت فیدبک بایاس از طریق یک منبع جریان ثابت نقطه بایاس DC شرط قرار گرفتن در ناحیه اشباع جریان سیگنال در درین گین ولتاژ مدار معادل سیگنال کوچک برای تحلیل مدار برای سیگنال کوچک گین سیگنال کوچک مقدار مقاومت ورودی آنالیز DC مدل T تقویت کننده سورس مشترک مشخصه های تقویت کننده سورس مشترک تقویت کننده سورس مشترک با مقاومت در سورس تقویت کننده گیت مشترک مدل سیگنال کوچک تقویت کننده گیت مشترک مشخصات تقویت کننده گیت مشترک مقدار مقاومت خروجی: مقایسه تقویت کننده گیت مشترک با سورس مشترک کاربرد تقویت کننده گیت مشترک تقویت کننده درین مشترک و یاSource Follower مدل سیگنال کوچک عملکرد MOSFET بعنوان سوئیچ بدست آوردن نقطه کار مشخصه انتقال گیت معکوس کننده CMOS
