کانال های تلگرام کندو

حكاكي لايه نازك sio2وsi3n4

دسته بندي: مقالات / برق
1 آذر

معمولاً بوسیله رقیق کردن یا Buffer کردن HF انجام می شود.

حکاکی های PSG 10 بار سریع تر از اکسید رشد یافته حرارتی می باشد.

حکاکی Anisotropic در مورد Si با استفاده از حکاکی پلاسما به کمک یون در ترکیبی از C2 F6 و CH3F انجام می شود. قابلیت انتخاب روی Si خوب است، امّا روی Si3N4  خوب نیست .

 حکاکی لایه نازک Si3N4

حکاکی کننده تر در دمای H3PO4,140 – 200OC   می باشد. SiO2 حاصل از لایه نشانی بخار شیمیایی یک ماسک حکاکی خوب است. قابلیت انتخاب روی Si خیلی خوب است.                                                    حکاکی Anisotropic برای Si3N4 با استفاده از حکاکی پلاسما به کمک یون                                           ( Ion assisted Plasma etching ) در ترکیبی از C2F6 و CH3F انجام می شود

با عضويت ويژه در سايت کندو فايل ها را با 50% تخفيف خريداري نماييد. جهت عضويت کليک کنيدجهت دانلود رايگان فايل به صورت pdf pdf کليک نماييد
تگ هاي مطلب: دانلود پروژه برق الکترونیک, تحقيق برق, دانلود برق, مقاله برق, دانلود رایگان برق, مقالات برق, دانلود رایگان مقاله برق, دانلود پروژه برق, دانلود مقاله برق, پايان نامه برق, مقالات برق قدرت, پروژه برق, دانلود مقالات برق, پروژه های برق, دانلود پروژه های برقپرو
قيمت فايل:3000 تومان
تعداد صفحات:13
خريد فايل word
ارسال نظر
عکس خوانده نمی شود
دسته بندی ها